Bo Mạch Chủ Gigabyte AORUS TACHYON, XTREME Và MASTER Z790 Sẽ Hỗ Trợ Bộ Nhớ DDR5 Hiệu Năng Cao Lên Tới 9300 Mbps

10:06 - 02/11/2022

Mới đây, Gigabyte Technology đã thông báo rằng mobo dựa trên AORUS TACHYON Z790 sẽ bắt đầu cung cấp hỗ trợ bộ nhớ ép xung XMP DDR5-9300.

Bo mạch chủ AORUS XTREME và MASTER của công ty sẽ hộ trợ bộ nhớ XMP DDR5-8333. Các bo mạch chủ sẽ có sự hỗ trợ như vậy thông qua việc làm mát không khí cho bộ nhớ bằng tính năng ép xung độc quyền của công ty.

Gigabyte AORUS đảm bảo hơn nữa sự ổn định và hiệu suất được cải thiện hoàn thiện thông qua các bo mạch chủ cao cấp của công ty, thiết kế bộ nhớ định tuyến được che chắn và băng thông cao hơn khi BIOS được cài đặt.

Công ty đã cải tiến trên thế hệ trước của thiết kế bo mạch chủ XTREME, MASTER và TACHYON bằng cách sử dụng định tuyến bộ nhớ được che chắn và thiết kế PCB có độ trễ thấp cho phép người dùng hạn chế nhiễu bên trong và bên ngoài, giảm khả năng mất tín hiệu và cung cấp tốc độ bộ nhớ nhanh nhất hiện có.

Tính năng băng thông cao độc quyền từ Gigabyte dành cho bo mạch chủ AORUS của công ty cho phép người dùng tăng băng thông tối đa cho bộ nhớ XMP mang lại hiệu suất tối đa cho bộ nhớ của hệ thống mà không cần thay đổi cài đặt xung nhịp bộ nhớ.

Gigabyte cũng nâng cao hơn nữa hiệu năng từ các bo mạch chủ với bộ ép xung nội bộ được thiết kế đặc biệt cho các mẫu XMP DDR5-8333 và DDR5-9300 OC.

Các bo mạch chủ Z790 AORUS XTREME và Z790 AORUS MASTER của Gigabyte được trang bị để xử lý các CPU Intel Core Raptor Lake thế hệ thứ 13. Hai bo mạch chủ AORUS mới có khả năng kiểm soát nhiệt độ và công suất vượt trội trong các tình huống khắc nghiệt bằng cách sử dụng thiết kế pha nguồn kỹ thuật số VRM 20 + 1 + 2. Mỗi pha VRM truy cập tới 105 ampe và bộ tản nhiệt Fins-Array III mang đến cho những người đam mê trải nghiệm ép xung vượt trội so với đối thủ với bộ vi xử lý Intel K-series đa lõi.

Bo mạch chủ Z790 AORUS TACHYON được sản xuất đặc biệt cho những người ép xung. Cho phép người dùng có quyền quản lý toàn diện với thiết kế nguồn VRM trực tiếp thế hệ tiếp theo và vùng phủ nhiệt 100% của khu vực MOS để hạn chế mức tăng đột biến nhiệt và tản nhiệt hiệu quả hơn.

Gigabyte cũng đã cấp cho người dùng quyền truy cập vào bộ ép xung tích hợp cho khả năng điều chỉnh, sử dụng các phím tắt để ép xung hiệu quả đồng thời phát hiện mức điện áp tốt hơn để nâng cao tính dễ sử dụng cho những người ép xung.

Nguồn: wccftech